科研動態(tài)

       原子層沉積（ALD）技術(shù)是一種先進(jìn)的在原子尺度可控的薄膜氣相沉積技術(shù)，能夠精確地逐層控制薄膜生長過程。近年來，利用ALD技術(shù)對電極材料進(jìn)行表面修飾逐漸成為鋰離子電池領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，并引起了工業(yè)界的廣泛重視。
       在潘鋒教授和王新煒特聘研究員的指導(dǎo)下，依托學(xué)院原子層沉積實(shí)驗(yàn)室，博士后蘇彥濤與學(xué)院研究生以及美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室軟X-射線站楊萬里研究組積極合作，利用ALD技術(shù)沉積氧化鋁（Al₂O₃）薄膜，對三元正極材料（LiNi_0.5Mn_0.3Co_0.2O₂）進(jìn)行表面修飾，提高了材料在高截止電壓（4.5 V）下的循環(huán)穩(wěn)定性。結(jié)合X射線光電子能譜（XPS）、X射線吸收譜（XAS）、透射電子顯微鏡（TEM）以及電化學(xué)測試分析，揭示了材料循環(huán)穩(wěn)定性提高的機(jī)理。
        該研究成果發(fā)表在ACS旗下的ACS Applied Materials and Interfaces （DOI:10.1021/acsami.5b05500 ）雜志上（影響因子6.723）。

 


文章下載：.pdf
文章鏈接： Yantao Su, Suihan Cui, Zengqing Zhuo, Wanli Yang, Xinwei Wang*, and Feng Pan*. “Enhancing the High-Voltage Cycling Performance of LiNi_0.5Mn_0.3Co_0.2O₂ by Retarding Its Interfacial Reaction with an Electrolyte by Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃”, ACS Appl. Mater. Interfaces, Article ASAP (2015). DOI: 10.1021/acsami.5b05500.