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科研動(dòng)態(tài)

新材料學(xué)院在Ga摻雜SnO2的染料敏化太陽(yáng)能電池取得突破

發(fā)布時(shí)間：2015-11-24

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染料敏化太陽(yáng)能電池（DSSCs）的光陽(yáng)極是整個(gè)電池的核心部分。二氧化錫(SnO₂)作為DSSCs光陽(yáng)極的理想材料具有比TiO₂更為快速的電子傳輸速度，但目前基于SnO₂制備的DSSCs的光電轉(zhuǎn)換效率仍然較低。
在潘鋒教授、林原研究員以及段彥棟、鄭家新兩位博士后的共同努力下，成功制備了一種新型的Ga摻雜SnO₂中空球。這種中空結(jié)構(gòu)不僅大大減少了原材料的用量，還可以增加染料的吸附量。微米結(jié)構(gòu)的中空球還進(jìn)一步提高了入射光的使用效率。將這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用到染料敏化太陽(yáng)能電池中之后，DSSCs的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了7.11%，是目前報(bào)道的氧化錫基DSSCs的最高效率之一。

該文章以全文形式發(fā)表在近期的《Rsc Advances》上，Effects of Ga doping and hollow structure on the band-structures and photovoltaic properties of SnO₂ photoanode dye-sensitized solar cells.

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文章鏈接：http://pubs.rsc.org/en/content/articlehtml/2015/ra/c5ra19491a
(DOI: 10.1039/C5RA19491A ; RSC Adv., 2015, 5, 93765-93772)。

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