原子層沉積（ALD）技術(shù)是一種先進的薄膜制備技術(shù)，其特點在于能夠在原子尺度上實現(xiàn)對薄膜成分的精確控制。新材料學(xué)院原子層沉積課題組在王新煒特聘研究員的帶領(lǐng)下，一直致力于ALD方法學(xué)方面的研究，主要包括開發(fā)新型材料的ALD工藝，研究ALD過程的機理等，并致力于將所開發(fā)的先進技術(shù)方法應(yīng)用于新材料學(xué)院的清潔能源材料與器件、有機光電等大方向的研究上，為這些方向的快速發(fā)展提供先進的技術(shù)支持與儲備。
近日，原子層沉積課題組在新型ALD方法的開發(fā)方面取得了重要的進展。以2014級直博生李豪與2014級碩士生高源鴻為共同第一完成人，該課題組開發(fā)了一種新型ALD工藝方法，用以制備高質(zhì)量的硫化鈷薄膜，并展示了其優(yōu)良的電化學(xué)性能。該工作發(fā)表在了影響因子為13.592的《納米快報（Nano Letters）》上。
此外，該課題組還與北京印刷學(xué)院等離體物理與材料研究室合作，共同開發(fā)了一種低溫原子層沉積工藝，用以制備高質(zhì)量的金屬銅薄膜。該工作發(fā)表了影響因子為8.354的《材料化學(xué)（Chemistry of Materials）》上。2014級直博生李豪該論文的為共同一作，深研院為共同通訊單位。
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Hao Li,# Yuanhong Gao,# Youdong Shao, Yantao Su, Xinwei Wang,* “Vapor-Phase Atomic Layer Deposition of Co9S8 and Its Application for Supercapacitors”, Nano Letters, ASAP (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02508
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Zheng Guo,# Hao Li,# Qiang Chen, Lijun Sang, Lizhen Yang, Zhongwei Liu,* Xinwei Wang,* “Low-Temperature Atomic Layer Deposition of High Purity, Smooth, Low Resistivity Copper Films by Using Amidinate Precursor and Hydrogen Plasma”, Chemistry of Materials 27, 5988 (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b02137
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