原子層沉積（ALD）技術(shù)是一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)，其特點在于能夠在原子尺度上實現(xiàn)對薄膜成分厚度的精確控制。新材料學(xué)院原子層沉積課題組在王新煒特聘研究員的帶領(lǐng)下，長期致力于ALD方法學(xué)方面的研究，開發(fā)新型材料的ALD工藝，如硫化鈷（Nano Letters (2015) 15, 6689）、硫化鎳（Chemistry of Materials (2016) 28, 1155）等等，為新材料學(xué)院在鋰電池、有機(jī)光電等方面的研究提供重要的技術(shù)支持與儲備。
近日，為了解決有機(jī)電子器件電荷注入效率低的普遍性問題，該課題組針對有機(jī)材料的特殊性，開發(fā)了一種溫和的低溫ALD工藝，可以在接近室溫（50攝氏度）實現(xiàn)氧化釩電荷注入薄膜層的ALD可控制備，從而在避免損傷有機(jī)材料的同時，顯著降低金屬與有機(jī)層間的接觸電阻。
該工作于近期發(fā)表在了《先進(jìn)功能材料（Advanced Functional Materials）》上，并被選為當(dāng)期的內(nèi)封底文章。該論文的第一作者是新材料學(xué)院2014級碩士生高源鴻，通訊作者是王新煒特聘研究員，合作作者包括孟鴻教授等。
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Yuanhong Gao, Youdong Shao, Lijia Yan, Hao Li, Yantao Su, Hong Meng, Xinwei Wang*, “Efficient Charge Injection in Organic Field-Effect Transistors Enabled by Low-Temperature Atomic Layer Deposition of Ultrathin VOx Interlayer”, Advanced Functional Materials 26, 4456 (2016). DOI: 10.1002/adfm.201600482 (Inside Back Cover, DOI: 10.1002/adfm.201670160)
